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场效应管(MOSFET) NVTJD4001NT1G SOT-363 onsemi(安森美) 元器件
NVTJD4001NT1G 分立半导体「MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88」
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NVTJD4001NT1G 封装SOT-363 MOS场效应管
NVTJD4001NT1G【MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88】
NVTJD4105CT1G【MOSFET 20V 0.63A SC-88】
NVTJD4158CT1G【MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88】
NVTJD4401NT1G【MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88】
NVTJD4001NT2G【MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88】
NVTJD4001NT1G 丝印TE 贴片SOT23-5 MOSFET N 30V 250MA 场效应管
NVTJD4001NT1G《MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88》
全新原装 NVTJD4001NT1G SC-88 2N-CH 30V 0.25A MOS场效应管芯片
NVTJD4001NT1G MOSFET2N-CH30V0.25ASC-88 全新原装
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NVTJD4001NT1G 全新原装 封装SOT-363 N沟道MOSFET场效应管
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NVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G NTJD4001 丝印TE ON代理 30V 双N沟道小信号MOSFET
NVTJD4001NT1G【MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88】晶体管
场效应管(MOSFET) NVTJD4001NT1G SOT-363
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NVTJD4001NT1G 场效应管(MOSFET) 2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
NVTJD4001NT1G | NVTR01P02LT1G | NVTR0202PLT1G
NVTJD4001NT1G 场效应管 2个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
场效应管(MOSFET) NVTJD4001NT2G -
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NVTJD4001NT1G 规格 NVTJD4001NT2G
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NVTJD4001NT1G▕SOT-363:MOSFET（金属氧化物）
NVTJD4001NT1G SOT-363 全新 原装
