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ON原装 FQD2N60CTM 封装TO-252 N沟道MOS管 600V耐压场效应管IC
全新正品 FQD2N60CTM 贴片 TO-252 2N60 1.9A/600V N沟道 MOS管
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FQD2N60CTM全新大芯片 大量供货也可供样品及技术支持
FQD2N60CTM 分立半导体〈MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK〉
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场效应管MOS FQD2N60CTM TO-252(DPAK) 600V 1.9A ON安森美
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FQD2N60CTM《POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1》
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FQD2N60CTM-VB 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:650V TO-252
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